有机晶体在衬底上的原位集成是有机光电器件应用的基础，在几十年的研究中只能采用溶液法和物理气相沉积法制备有机单晶。由于受低溶解度和复杂的工艺等限制，通常有机单晶器件只能作材料基本性质和极限性能的展示，并不能大规模应用。

晶体材料国家重点实验室刘阳和陶绪堂课题组经过悉心钻研，开发了一种全新的“微距空气升华法”原位生长有机晶体。该方法无需真空，速度快，适用材料范围广。其重要特征在于原料与衬底之间的超微距离，因而使晶体生长遵循气体-熔体-晶体的新机理，可以制备高质量的单晶。该研究以最具代表性的有机半导体材料红荧烯单晶场效应器件为例，获得了同类结构器件的最高迁移率记录。

该研究工作发明的方法具有成本低、易操作，适用范围广的优点，将极大地促进有机半导体晶体的研发。研究成果于近期在国际学术期刊Chemistry of Materials上发表，并入选美国化学学会推荐论文。